特許
J-GLOBAL ID：200903058270134312

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
秋元 健吾

秋元 健吾 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-059730
公開番号（公開出願番号）：特開2008-263181
出願日： 2008年03月10日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
【課題】シリサイド領域を形成し、かつ、チャネル形成領域の金属元素濃度増大を防ぎ、記憶素子の信頼性を向上させることを課題とする。【解決手段】ソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域の間に設けられたチャネル形成領域を有する半導体層と、前記半導体層上に、第1の絶縁層、第1のゲート電極、第2の絶縁層、第2のゲート電極が順次重ね合わせて設けられ、前記ソース領域及びドレイン領域は、その一部又は全てがニッケルシリサイド層で形成され、前記第1のゲート電極は、絶縁膜で周囲が覆われていると共に、希ガス元素を含む不揮発性半導体記憶装置に関する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域の間に設けられたチャネル形成領域を有する半導体層と、 前記半導体層上に、第1の絶縁層、第1のゲート電極、第2の絶縁層、第2のゲート電極が順次重ね合わせて設けられ、 前記ソース領域及びドレイン領域は、その一部又は全てがシリサイド層で形成され、 前記第1のゲート電極は、絶縁膜で周囲が覆われていると共に、希ガス元素を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434
Fターム (46件)：
5F083EP02 ,  5F083EP04 ,  5F083EP06 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER22 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR06 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F101BA19 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF03 ,  5F101BH09 ,  5F101BH19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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