半導体装置及び電子機器

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-004197
公開番号（公開出願番号）：特開2016-139450
特許番号：特許第6736296号
出願日： 2016年01月13日
公開日（公表日）： 2016年08月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】記憶装置と、電源電圧制御回路と、を有し、前記記憶装置は、メモリセルアレイと、駆動制御回路と、データ制御回路と、第1乃至第4のスイッチと、を有し、前記メモリセルアレイは、メモリセルを有し、前記メモリセルは、第1の記憶部と、第2の記憶部と、を有し、前記駆動制御回路は、前記第1の記憶部に電気的に接続されたビット線及び反転ビット線をプリチャージしてデータを読み出す機能を有し、前記データ制御回路は、前記電源電圧制御回路の制御によって、前記第1の記憶部と前記第2の記憶部との間で、データの退避及び復帰するよう制御する機能を有し、前記電源電圧制御回路は、前記第1乃至第4のスイッチのオンまたはオフを制御することができる機能を有し、前記第1のスイッチは、オフにすることで前記ビット線及び前記反転ビット線を電気的に浮遊状態とすることができる機能を有し、前記第2のスイッチは、オフにすることで前記メモリセルアレイへの第1の電源電圧の供給を停止することができる機能を有し、前記第3のスイッチは、オフにすることで前記駆動制御回路への第2の電源電圧の供給を停止することができる機能を有し、前記第4のスイッチは、オフにすることで前記データ制御回路への第3の電源電圧の供給を停止することができる機能を有し、前記電源電圧制御回路は、前記第1のスイッチをオフにし、前記第2乃至第4のスイッチをオンにする第1の状態と、前記第1及び第2のスイッチをオフにし、前記第3及び第4のスイッチをオンにするする第2の状態と、前記第1乃至第4のスイッチをオフにする第3の状態と、が順に切り替えることができる機能を有し、前記記憶装置へのアクセスがない第1の期間を超えると、前記第1の状態から前記第2の状態への切り替えが行われ、前記記憶装置へのアクセスがない第2の期間を超えると、前記第2の状態から前記第3の状態への切り替えが行われ、前記第2の期間は、前記第1の期間よりも長い半導体装置。

IPC (2件)：

G11C 5/14 ( 200 6.01) , G11C 14/00 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G11C 5/14 370 , G11C 14/00 200

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-023965 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
記憶装置及び信号処理回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-112344 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
記憶素子及び記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-095288 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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