特許
J-GLOBAL ID：202003019030242625
化合物半導体装置、及び化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-201427
公開番号（公開出願番号）：特開2018-064027
特許番号：特許第6711233号
出願日： 2016年10月13日
公開日（公表日）： 2018年04月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
前記基板の上に形成されたGaNを材料とするキャリア走行層と、
前記キャリア走行層の上に形成され、前記キャリア走行層との間に障壁が生じる窒化物半導体の障壁層と、
前記障壁層に形成され、前記キャリア走行層に至る深さの第1のリセスと、
前記障壁層において前記第1のリセスから間隔をおいて形成され、前記キャリア走行層に至る深さの第2のリセスと、
前記第1のリセスに形成され、Inの組成比が17%以上18%以下の第1のInAlN層と、
前記第2のリセスに形成され、Inの組成比が17%以上18%以下の第2のInAlN層と、
前記第1のInAlN層の上に形成されたソース電極と、
前記第2のInAlN層の上に形成されたドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記障壁層の上に形成されたゲート電極と、
を有し、
前記第1のリセスと前記第2のリセスの各々の底面に形成されたAlNを材料とする第1の中間層を更に有し、
前記第1のInAlN層が、前記第1のリセス内の前記第1の中間層の上に形成され、
前記第2のInAlN層が、前記第2のリセス内の前記第1の中間層の上に形成された
化合物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/205
