特許
J-GLOBAL ID：202003019030753620

フォトマスク、近接露光用フォトマスクの製造方法、及び、表示装置の製造方法

発明者：
小林 周平

小林 周平 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (4件)： 阿仁屋 節雄 ,  福岡 昌浩 ,  奥山 知洋 ,  橘高 英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-216944
公開番号（公開出願番号）：特開2018-077266
特許番号：特許第6716427号
出願日： 2016年11月07日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透明基板上に、被転写体上に転写するための転写用パターンを備える、近接露光用のフォトマスクであって、 前記転写用パターンは、 メインパターンと、 前記メインパターンが有する角部の近傍に、前記メインパターンから離間して配置された、補助パターンと、 前記メインパターン及び前記補助パターンを囲むスリット部と、 を含み、 前記メインパターンは、前記透明基板上に第1透過制御膜が形成されてなり、 前記補助パターンは、前記透明基板上に第2透過制御膜が形成されてなるとともに、露光によって前記被転写体上に解像されない寸法をもち、 前記スリット部は、前記透明基板が露出してなるとともに、幅S1(μm)を有して一方向にのびる帯状の第1スリット部と、幅S2(μm)を有し、前記第1スリット部と交差する第2スリット部とを含み、 前記第1スリット部と前記第2スリット部が交差する領域に、前記メインパターンの有する4つ角部が対向し、前記4つの角部の頂点を直線で結んで形成される4角形を交差領域とするとき、前記交差領域内に、前記補助パターンの重心が位置するように、前記補助パターンが配置され、 前記第1透過制御膜は、遮光膜からなり、 前記第2透過制御膜は、露光光の一部を透過する半透光膜からなる ことを特徴とする、フォトマスク。
IPC (2件)：
G03F 1/38 ( 201 2.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G03F 1/38 ,  G03F 7/20 501
引用特許：
審査官引用 (4件)
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