パターンニング方法とこれに用いられる近接露光用の原版マスク、およびカラーフィルタ基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金山聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-364442
公開番号（公開出願番号）：特開2007-148300
出願日： 2005年12月19日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅をPB処理において6μmレベル線幅と微細化して形成することができるパターニング方法を提供する。【解決手段】原版マスクを用いて、近接露光により、前記ネガ型の感光材を露光し、所定の現像処理を行い、更に必要に応じて後処理(PB処理)を行うことにより、前記ラインパターンを形成するものであり、前記原版マスクは、前記ラインパターン形成領域を、ライン状の開口の中に、該開口の幅より狭く、現像処理後において解像されない、遮光性の補助パターンを配設した形状のパターンとするもので、現像処理後において、前記ライン状の開口の幅よりも小さい幅のラインパターンを形成するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の一面に配設されたネガ型の感光材でフォトリソ法により、ラインパターンを形成するためのパターンニング方法であって、原版マスクを用いて、近接露光により、前記ネガ型の感光材を露光し、所定の現像処理を行い、更に必要に応じて後処理(PB処理)を行うことにより、前記ラインパターンを形成するものであり、前記原版マスクは、前記ラインパターン形成領域を、ライン状の開口の中に、該開口の幅より狭く、現像処理後において解像されない、遮光性あるいは半遮光性(ハーフトーンとも言う)の補助パターンを配設した形状のパターンとするもので、現像処理後において、前記ライン状の開口の幅よりも小さい幅の前記ラインパターンを形成するものであることを特徴とするパターンニング方法。

IPC (5件)：

G03F 7/20 , H01L 21/027 , G03F 1/08 , G02F 1/133 , G02B 5/20

FI (6件)：

G03F7/20 501 , H01L21/30 502P , H01L21/30 509 , G03F1/08 A , G02F1/1335 505 , G02B5/20 101

Fターム (20件)：

2H048BA11 , 2H048BA43 , 2H048BA47 , 2H048BA48 , 2H091FA02Y , 2H091FA35Y , 2H091FC10 , 2H091FC26 , 2H091LA12 , 2H091LA30 , 2H095BA03 , 2H095BB02 , 2H095BB36 , 2H095BC09 , 2H097GA45 , 2H097LA12 , 2H097LA17 , 5F046AA25 , 5F046BA02 , 5F046CB17

引用特許：

出願人引用 (2件)

大サイズ基板用露光装置および露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-303389 出願人：大日本印刷株式会社
制電性フイルム
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-305718 出願人：帝人株式会社

審査官引用 (8件)

表示用基板の製造方法およびそれに用いるフォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-117230 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-115842 出願人：セイコーエプソン株式会社
変形照明露光装置用マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-025616 出願人：シャープ株式会社

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