特許
J-GLOBAL ID：202003020454998728
オープンフィーチャ内に誘電体分離構造を作成するサブトラクティブ法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-079812
公開番号（公開出願番号）：特開2016-201542
特許番号：特許第6737991号
出願日： 2016年04月12日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上のオープンフィーチャを部分的に充填する方法であって、
層を有する基板を受けるステップであって、前記層内に少なくとも1つのオープンフィーチャが形成され、前記オープンフィーチャは、上面から前記層内へ侵入し、且つ前記オープンフィーチャの底部まで延びる側壁を含むステップと、
前記層の上面を被覆し、且つ前記オープンフィーチャの底部まで延びる有機コーティングで、前記オープンフィーチャを過剰充填するステップであって、ここで、前記オープンフィーチャを過剰充填するステップは、カルボニル官能基を含有するポリマー材料もしくはコポリマー材料で、前記オープンフィーチャをコートするステップを含む、ステップと、
前記層の上面を露出させるため、前記有機コーティングの一部を除去するステップと、前記オープンフィーチャの底部における所定の厚さの有機コーティングプラグを作成するため、前記上面から所定の深さまで前記有機コーティングを陥凹させるステップと、
無機プラグを作成するため、前記有機コーティングプラグの化学組成を変換するステップと、
を含む方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 Z
, H01L 21/316 S
