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J-GLOBAL ID：202102217400382457   整理番号：21A0630912

浮遊帯溶融法によるGdVO₄:Eu単結晶の育成とベータ線イメージングへの応用

Float zone growth of GdVO₄:Eu single crystals for β-ray imaging

著者 (7件)： 松岡みのり (北大) ,  樋口幹雄 (北大) ,  鱒渕友治 (北大) ,  錦戸文彦 (量研) ,  山谷泰賀 (量研) ,  武田隆史 (物質・材料研究機構) ,  金子純一 (北大)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 49th  ページ： ROMBUNNO.09a-C04  発行年： 2020年11月09日 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 高品質GdVO_4:Eu単結晶を浮遊帯融解法により成長させ...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 蛍光 ,  蛍光スペクトル ,  焼結 ,  シンチレーション ,  シンチレータ ,  *単結晶 ,  偏光 ,  励起 ,  *ガドリニウム ,  純度 ,  濃度依存性 ,  *画像処理 ,  *β粒子 ,  *ユウロピウム ,  成長速度

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  結晶成長一般  (BK13010Q) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： EU ,  単結晶の育成 ,  ベータ線 ,  イメージング ,  応用