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J-GLOBAL ID：202102226739905670   整理番号：21A0168279

MoS_2/hBN垂直ヘテロ構造の形成におけるVan der Waalsヘテロエピタクシーの微視的機構【JST・京大機械翻訳】

Microscopic Mechanism of Van der Waals Heteroepitaxy in the Formation of MoS₂/hBN Vertical Heterostructures

著者 (14件)： Okada Mitsuhiro (Nanomaterials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Maruyama Mina (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Okada Susumu (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Warner Jamie H. (Walker Department of Mechanical Engineering, The University of Texas at Austin, Texas, United States) ,  Warner Jamie H. (Materials Graduate Program, Texas Materials Institute, The University of Texas at Austin, Texas, United States) ,  Kureishi Yusuke (Department of Chemistry, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Uchiyama Yosuke (Department of Chemistry, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Taniguchi Takashi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Shimizu Tetsuo (Nanomaterials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Kubo Toshitaka (Nanomaterials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Ishihara Masatou (Nanomaterials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Shinohara Hisanori (Department of Chemistry, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Kitaura Ryo (Department of Chemistry, Nagoya University, Aichi, Japan)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 5  号： 49  ページ： 31692-31699  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の研究では,六方晶窒化ホウ素(hBN)のような結晶基板上の2D材料のvan der Waals(vdW)ヘテロエピタキシャル成長が,自己整列結晶粒の形成をもたらし,結晶粒間の欠陥のないステッチングをもたらすことを明らかにした。しかし,弱いvdW相互作用が結晶粒の結晶配向に強い制限を引き起こすかはまだ理解されていない。本研究では,hBN上のvdWエピタキシャル成長におけるMoS_2粒子の自己整列の微視的機構の調査に焦点を当てた。密度汎関数理論とLennard-Jonesポテンシャルを用いて,MoS_2とhBN間の層間エネルギーはMoS_2のサイズと結晶方位に強く依存することを見出した。また,MoS_2のサイズが数十ナノメートルである場合,回転エネルギー障壁は~1eVを超えることができ,成長温度でもMoS_2の結晶配向を整列させる回転を抑制する。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Lennard-Jonesポテンシャル ,  *エピタクシー ,  相互作用 ,  結晶方位 ,  回転エネルギー ,  結晶粒 ,  二次元 ,  密度汎関数法 ,  自己整合 ,  *ヘテロエピタクシー
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  ヘテロ構造 ,  VAN ,  ヘテロエピタクシー