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J-GLOBAL ID：202102228358742146   整理番号：21A0957488

SiC(0001)上のツイストグラフェンの電子状態のツイスト角度依存性

On the twisted angle dependency of the electronic structure on the twisted graphene on SiC(0001) surfaces

著者 (15件)： 飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  今村均 (九大 大学院) ,  魚谷亮介 (九大 大学院) ,  宮町俊生 (電通大) ,  服部琢磨 (東大 物性研) ,  原沢あゆみ (東大 物性研) ,  矢治光一郎 (NIMS) ,  中辻寛 (東京工大) ,  北村未歩 (高エ研) ,  堀場弘司 (高エ研) ,  間瀬一彦 (高エ研) ,  梶原隆司 (九大 大学院) ,  VISIKOVSKIY Anton (九大 大学院) ,  田中悟 (九大 大学院) ,  小森文夫 (東大 物性研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 75  号： 2  ページ： ROMBUNNO.11pJ1-4  発行年： 2020年09月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 互いに面内回転しているツイスト2層グラフェン(tBG)では、層間の相互作用により単層グラフェンとは異なる新しい電子状態が発現することが注目されている。10度以下のツイスト角度においてはディラック点近傍のバンドの速度変化やバンド交差によるギャ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *グラフェン ,  *基板 ,  *バンド構造 ,  電子状態 ,  *角度依存性 ,  *ねじり ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  バンド交差
準シソーラス用語： *炭化ケイ素基板 ,  二層グラフェン ,  ARPES ,  Dirac点

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  グラフェン ,  電子状態 ,  角度依存性