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J-GLOBAL ID：202102238275221113   整理番号：21A0133649

折り畳まれた二層-二層グラフェン/六方晶窒化ホウ素超格子の作製

Fabrication of folded bilayer-bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattices

著者 (9件)： IWASAKI Takuya (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  MORITA Yoshifumi (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  NAKAHARAI Shu (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  WAKAYAMA Yutaka (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Eiichiro (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TSUYA Daiju (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Kenji (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TANIGUCHI Takashi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  MORIYAMA Satoshi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 3  ページ： 035003.1-035003.4  発行年： 2020年03月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・折り畳まれた二重層-多層グラフェン(fBBLG)超格子の作製を初めて実証。
・デバイス作製のために,まずグラフェンと六方晶窒化ホウ素(hBN)フレークを,厚さ285nmのSiO₂層で覆われた縮退ドープしたSi基板上に,機械的剥離により堆積。
・hBN/fBBLG/hBNヘテロ構造は,電子ビーム(EB)リソグラフィーとCHF₃/O₂プラズマエッチングによってホールバー形状にパターニング。
・電荷中性点(CNP)からのピークもhBNからのサテライトからの抵抗のピークは観測されず,これは,独自の積層構造を持つ層間カップリングが関与している可能性。
・このメカニズムを詳細に解明するためには,提案したfBBLG/hBN超格子デバイスにさらなる実験的アプローチを適用することが必要。

シソーラス用語： *折畳み構造 ,  多層構造 ,  *グラフェン ,  *窒化ホウ素 ,  *超格子 ,  ウエハ【IC】 ,  二酸化ケイ素 ,  ドーピング ,  層間剥離 ,  *素子構造 ,  電子ビームリソグラフィー ,  プラズマエッチング ,  パターン形成 ,  積層構造 ,  結合 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： 二層構造 ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  Si基板 ,  *ヘテロ構造 ,  パターンニング ,  層間結合

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層 ,  二層グラフェン ,  六方晶窒化ホウ素 ,  超格子 ,  作製