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J-GLOBAL ID：202102240044989559   整理番号：21A1782345

GaN単結晶ウエハ中の残留水素によるGa格子サイト周辺の歪の観測

Observation of the distortion around Ga lattice sites due to the residual hydrogen in GaN single crystal wafer

著者 (4件)： SATO Kazuki (Hosei Univ.) ,  NISHIMURA Tomoaki (Hosei Univ.) ,  KURIYAMA Kazuo (Hosei Univ.) ,  NAKAMURA Tohru (Hosei Univ.)
資料名： 法政大学イオンビーム工学研究所報告  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University)
号： 40  ページ： 28-30  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： S0830B  ISSN： 0286-0201  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・残留水素によるGa格子の擾乱をRutherford後方散乱法(RBS)と弾性反跳粒子検出法(ERDA)により評価。
・HVPE法により成長した厚さ約370μのGaN単結晶ウエハーを使用。
・RBSチャネリング実験では,Gaの微小デチャネリング現象を非アニールGaN単結晶ウエハー中の表面ピークの後方深さ約250nmの深さから観測。
・ERDA実験では,非アニールGaN中の水素濃度(4.8×10¹⁴ cm^-2)は900°Cでアニールしたものの約2倍であり,残留水素の一部はアニーリングにより拡散することを示唆。
・非アニールGaN中のGaの微小変位の存在は残留水素とGaの複合欠陥から生じるGa変位と関連。
・RBSチャネリング実験で観測したGa原子のわずかなデチャネリング現象はアニール水中の水素の拡散による水素の還元と関連して消失。

シソーラス用語： *Rutherford散乱分光法 ,  エピタクシー ,  複合欠陥 ,  *窒化ガリウム ,  水素 ,  焼なまし ,  変位 ,  ウエハ【IC】 ,  格子歪
準シソーラス用語： Rutherford後方散乱法 ,  *弾性反跳粒子検出法 ,  HVPE ,  デチャネリング ,  微小変位 ,  残留水素

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (8件)：

• S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258-1266 (1992).
• S. M. Myers, A. F. Wright, G. A. Petersen, C. H. Seager, W. R. Wampler, M. H. Craford, J. Han, J, Appl. Phys. 88, 4676-4687 (2000).
• J. A. Van Vechten, J. D. Zook, R. D. Homing, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 31, 3662-3663 (1992).
• J. Neugebauer and C. G. Van de Waite, Appl. Phys. Lett. 68, 1829-1831 (1996).
• J. Kennedy, A. Markwitz, H.J. Trodahl, B.J. Ruck, S.M. Durbin, W. Gao, Journal of electronic materials 36, 472-482 (2007).

タイトルに関連する用語 (9件)： GaN ,  単結晶ウエハ ,  残留 ,  水素 ,  Ga ,  格子 ,  周辺 ,  歪 ,  観測