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J-GLOBAL ID：202102241968439448   整理番号：21A2362041

マイクロリソグラフィー用のネガティブトーンフォトレジストとしてのアリールエポキシ熱硬化性樹脂のリソグラフィー性能【JST・京大機械翻訳】

Lithographic Performance of Aryl Epoxy Thermoset Resins as Negative Tone Photoresist for Microlithography

著者 (5件)： Vlnieska Vitor (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute of Microstructure Technology, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Vlnieska Vitor (Chemistry Department, Federal University of Parana, Rua Coronel Francisco Heraclito dos Santos, 100, Jardim das Americas, Curitiba, PR 81531-980, Brazil) ,  Zakharova Margarita (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute of Microstructure Technology, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Mikhaylov Andrey (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute of Microstructure Technology, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Kunka Danays (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute of Microstructure Technology, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany)
資料名： Polymers (Web)  (Polymers (Web))
巻： 12  号： 10  ページ： 2359  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7262A  ISSN： 2073-4360  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトレジスト(または,光樹脂)は,深X線(DXR),紫外線(UVL),深UV(DUVL),および極端UV(EUVL)のようなリソグラフィー技術に使用される,主要な,最も重要な原材料である。以前の研究では,フォトレジスト製造に用いる樹脂の合成がいかに複雑になるかを示した。本研究では,光樹脂を定式化するために,深いおよびマクロレベルの特性を調整する戦略について追跡した。それらを,エポキシ樹脂,溶媒,およびいくつかの濃度の光開始剤を用いて,一次ベースから開発した。定式化は,2.3mm2の二乗パターンを用いて,UVL技術によって最初に評価した。次に最適組成を,UVLとDUVLを適用して,50から1m幅まで変化するパターン構造で研究した。パターン化した構造を,光樹脂の化学組成と比較した。特性の深いレベルを考慮して,ポリ分散とエポキシ化度を評価した。特性のマクロレベルに関して,光開始剤の濃度を研究した。深部およびマクロレベル方法論の制御により,有望な結果を達成した。UVリソグラフィーにより,2.0mm2以上の大きな特徴サイズに対して,処方は,それぞれ3から100%(モルモルポリマー1)および10から40%(モルモルポリマー1)までの広範囲のエポキシ化度および光開始剤濃度を有する良好な品質構造を示した。50m幅より小さい構造では,光樹脂の組成は,製剤に関する狭い範囲の値に限定される。結果は,オリゴマのポリ分散が,制御のための重要な特性であるかもしれないことを示した。低い多分散性(樹脂P1とP2)でより良い結果の傾向がある。UVと深UV照射に関して,最良の結果をUVで達成した。それにもかかわらず,DUVでは,感度はより強力で,過曝露効果のある明確な構造をもたらした。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学組成 ,  紫外線 ,  エポキシ樹脂 ,  *フォトレジスト ,  エポキシ化 ,  オリゴマ ,  *リソグラフィー ,  定式化 ,  パターン形成 ,  光開始剤 ,  多分散性
準シソーラス用語： 深紫外線 ,  極端紫外線リソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： エポキシ樹脂 ,  光樹脂(フォトレジスト) ,  UVリソグラフィー ,  深紫外線リソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• Turner, S.R.; Daly, R.C. 7 - Photochemical and Radiation Sensitive Resists. In Comprehensive Polymer Science and Supplements; Allen, G., Bevington, J.C., Eds.; Pergamon: Amsterdam, The Netherlands, 1989; pp. 193-225.
• Willson, C.; Dammel, R.; Reiser, A. Photoresist materials: A historical perspective. Proc. Spie Int. Soc. Opt. Eng. 1997, 3050.
• Jiguet, S.; Bertsch, A.; Judelewicz, M.; Hofmann, H.; Renaud, P. SU-8 nanocomposite photoresist with low stress properties for microfabrication applications. Microelectron. Eng. 2006, 83, 1966-1970.
• O’Brien, J.; Hughes, P.J.; Brunet, M.; O’Neill, B.; Alderman, J.; Lane, B.; O’Riordan, A.; O’Driscoll, C. Advanced photoresist technologies for microsystems. J. Micromech. Microeng. 2001, 11, 353.
• Vlnieska, V.; Zakharova, M.; Börner, M.; Bade, K.; Mohr, J.; Kunka, D. Chemical and Molecular Variations in Commercial Epoxide Photoresists for X-ray Lithography. Appl. Sci. 2018, 8, 528.

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロリソグラフィー ,  熱硬化性樹脂 ,  リソグラフィー