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J-GLOBAL ID：202102253511385295   整理番号：21A0598020

大気圧で発生し輸送された水素ラジカルを用いたSiCl₄源からの効果的なシリコン生産

Effective silicon production from SiCl₄ source using hydrogen radicals generated and transported at atmospheric pressure

著者 (6件)： Okamoto Yuji (Widegap Semiconductor Group, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Okamoto Yuji (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Sumiya Masatomo (Widegap Semiconductor Group, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Nakamura Yuya (Widegap Semiconductor Group, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Nakamura Yuya (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Suzuki Yoshikazu (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名： Science and Technology of Advanced Materials (Web)  (Science and Technology of Advanced Materials (Web))
巻： 21  号： 1  ページ： 482-491  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7009A  ISSN： 1878-5514  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 要約:Siemens法において,高純度Siを大気圧下でH₂雰囲気によるSiHCl₃源ガスの還元によって製造する。副産物としてSiCl₄4を生成するSiHCl₃の熱分解は,実用的Siemensプロセスにおいて支配的に生じ,Si収率は低い(約30%)。本研究では,タングステンフィラメントを用いて1atm以上の圧力で水素ラジカル(H-ラジカル)を生成し,H-ラジカルを反応器に輸送した。反応器中のH-ラジカルに曝露したWO₃-ガラスの600nmでの吸光度に基づいて,著者らは,1atmで,約1.1×10¹²cm^-3の密度を有するH-ラジカルが約30cm輸送されたことを観察した。SiCl₄を,Hラジカルを含む反応器への源として供給し,850°Cまたは900°Cで反応させると,SiはH₂雰囲気下で行った反応よりもより効率的に生成した。H-ラジカルはSiemens法における副産物であるSiCl₄を効果的に還元するので,それらの使用はこの方法のSi収率を増加させることが期待される。図面の要約:Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *気圧 ,  *ラジカル ,  *水素 ,  ケイ素化合物 ,  塩化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  熱分解 ,  タングステン ,  フィラメント ,  酸化タングステン ,  収率 ,  吸光度
準シソーラス用語： *大気圧 ,  *水素ラジカル ,  四塩化ケイ素

著者キーワード (4件)： 水素ラジカル ,  Siemens法 ,  Wフィラメント ,  SiCl_4

分類 (1件)： 反応操作(単位反応)  (XE01040I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大気圧 ,  輸送 ,  水素ラジカル ,  SiCl4 ,  シリコン