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J-GLOBAL ID：202102265922303029   整理番号：21A0696678

選択成長を用いたGe-on-Si(111)基板上への高品質な歪みSiGe層の作製

Fabrication of high quality strained SiGe on Ge-on-Si(111) by selective growth

著者 (8件)： 我妻勇哉 (東京都市大 総合研) ,  ALAM Md. Mahfuz (東京都市大 総合研) ,  ALAM Md. Mahfuz (Univ. of Barisal) ,  岡田和也 (東京都市大 総合研) ,  星裕介 (東京都市大 総合研) ,  山田道洋 (阪大 基礎工 CSRN) ,  浜屋宏平 (阪大 基礎工 CSRN) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z12-14  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.近年Ge(111)は、電子の移動度が高いことや、高品質強磁性体のエピタキシャル成長が可能であり、スピントロニクスに応用できることから注目を集めている[1]。さらにGe上に歪みSi1-xGex(111)チャネルを形成することで歪...【本文一部表示】

シソーラス用語： 移動度 ,  強磁性体 ,  亀裂 ,  高温 ,  焼なまし ,  低温 ,  *ゲルマニウム ,  臨界 ,  パターン形成 ,  スピントロニクス ,  *選択成長
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  *高品質 ,  *シリコンゲルマニウム ,  歪効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 選択成長 ,  Ge ,  Si ,  高品質 ,  歪み ,  SiGe ,  作製