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J-GLOBAL ID：202102291700307792   整理番号：21A0697132

陽電子消滅によるGaN基板上に成膜したTEOS-SiO₂膜の空隙の検出

Open spaces in TEOS-SiO₂ film deposited on GaN probed by means of positron annihilation

著者 (7件)： 上殿明良 (筑波大) ,  上野航 (筑波大) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  EGGER W. (UniBwM) ,  HUGENSCHMIDT C. (TUM) ,  DICKMANN M. (UniBwM) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10p-Z04-15  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】陽電子消滅は,固体の空孔型欠陥や空隙を感度良く検出できる非破壊検査法である.陽電子が物質中に打ち込まれると,電子と対消滅し,主に2本のγ線を放出する.γ線のエネルギーはm0c2で得られるが,電子の運動量を反映したドップラー拡がり...【本文一部表示】

シソーラス用語： 運動量 ,  γ線 ,  焼なまし ,  脱着 ,  半導体 ,  不純物 ,  *陽電子 ,  *陽電子消滅 ,  *ガリウム ,  *二酸化ケイ素 ,  温度依存性 ,  *窒化ガリウム ,  深さ分布
準シソーラス用語： *薄膜形成 ,  陽電子寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 陽電子消滅  (BK16052L) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 陽電子消滅 ,  GaN ,  成膜 ,  TEOS ,  SiO2 ,  空隙