粗さを低減するための原子層堆積及びエッチング

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-545228
公開番号（公開出願番号）：特表2021-504974
出願日： 2018年11月13日
公開日（公表日）： 2021年02月15日
要約：

【課題】【解決手段】一体化した原子層堆積(ALD)方法及びエッチング方法を使用して、粗さを低減する方法及び装置を本明細書で説明する。いくつかの実装形態では、マスクを基板上に設けた後、方法は、粗さを低減するために、ALDによって共形層をマスク上に堆積することと、粗さを低減したパターン・フィーチャを形成するため、マスクの下にある層をエッチングすることとを含む。いくつかの実装形態では、基板内に第1の深さでフィーチャを形成するために基板を第1の深さまでエッチングした後、方法は、後続のエッチング工程の間、側壁を保護し、粗さを低減するため、ALDによってフィーチャの側壁上に共形層を堆積することを含む。ALD工程及びエッチング工程は、プラズマ室内で実施してよい。【選択図】図8B

請求項（抜粋）：

方法であって、プラズマ室において、原子層堆積(ALD)によって基板のパターン・マスク層上に第1の共形層を堆積することであって、前記基板は、第1の材料層及び前記第1の材料層の上にある前記パターン・マスク層を含み、前記パターン・マスク層は、前記第1の共形層を堆積する前、第1の粗さを有する、堆積することと、前記プラズマ室において、前記パターン・マスク層によって画定される前記第1の材料層の複数の第1のパターン・フィーチャを形成するため、前記第1の材料層をエッチングすることとを含み、前記複数の第1のパターン・フィーチャは、前記第1の材料層をエッチングした後、前記パターン・マスク層の前記第1の粗さよりも小さい第2の粗さを有する、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , C23C 16/455 , C23C 16/42 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L21/302 105A , C23C16/455 , C23C16/42 , H01L21/316 X

Fターム (58件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030DA05 , 4K030FA04 , 4K030HA01 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F004AA04 , 5F004AA06 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB26 , 5F004BB32 , 5F004BC03 , 5F004BC05 , 5F004BC06 , 5F004BD04 , 5F004BD05 , 5F004BD06 , 5F004CA02 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB08 , 5F004EA03 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EA23 , 5F004EA28 , 5F004EA37 , 5F004EB04 , 5F058BA09 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BH12 , 5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (6件)

エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-178583 出願人：東京エレクトロン株式会社
被処理体を処理する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-147477 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板処理装置、これを備える塗布現像装置、及び基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-024381 出願人：東京エレクトロン株式会社

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