特許
J-GLOBAL ID：202103000374407164
半導体装置
出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社
ルネサスエレクトロニクス株式会社 について
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-231478
公開番号（公開出願番号）：特開2019-070656
特許番号：特許第6823637号
出願日： 2018年12月11日
公開日（公表日）： 2019年05月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 温度に応じたアナログの検知信号を生成する温度検知部と、
前記検知信号をデジタルの出力信号に変換するAD変換部と、
を備え、
前記温度検知部は、前記検知信号として、温度に依存する温度依存信号と温度に依存しない一定レベルの非温度依存信号とを生成し、第1の温度変化率調整信号に基づいて、前記非温度依存信号の誤差を補正し、
前記AD変換部は、第2の温度変化率調整信号に基づいて温度変化率を調整し、前記温度依存信号に基づく対象信号のレベルと前記非温度依存信号に基づく基準信号のレベルとを比較して、調整された前記温度変化率に応じた前記出力信号を生成する、
前記AD変換部は、前記第2の温度変化率調整信号に基づいて、前記基準信号のレベルを調整する、
前記AD変換部は、前記非温度依存信号を複数の分圧電圧に分圧し前記基準信号を生成する分圧部を備え、
前記分圧部は、前記第2の温度変化率調整信号に基づいて、前記複数の分圧電圧のレベルを調整する、
半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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