特許
J-GLOBAL ID：202103001631521450
半導体装置の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-104276
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212325
特許番号：特許第6852283号
出願日： 2016年05月25日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の上に、窒化物半導体により第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記第2の半導体層の表面を水蒸気により酸化することにより第1の酸化領域を形成する工程と、
前記第1の酸化領域の上に、ゲート電極が形成される領域に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部が形成されている領域において、前記第2の半導体層を水蒸気により酸化することにより、前記第1の酸化領域よりも深くに第2の酸化領域を形成し、前記第1の酸化領域と前記第2の酸化領域とにより金属酸化膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の開口部における前記金属酸化膜の上に、前記ゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 29/78 301 B
