特許
J-GLOBAL ID：201403095400362366

半導体装置及びその製造方法、電源装置、高周波増幅器

発明者：
尾崎 史朗

尾崎 史朗 について

, 
岡本 直哉

岡本 直哉 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 真田 有 ,  山本 雅久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-054928
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183080
出願日： 2013年03月18日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：
【課題】ドレイン電流の低下を抑制しながら、閾値を高くする。【解決手段】半導体装置を、窒化物半導体積層構造5と、窒化物半導体積層構造上に設けられた絶縁膜6と、絶縁膜上に設けられたゲート電極7とを備え、窒化物半導体積層構造は、ゲート電極の下方の絶縁膜との界面近傍に、ゲート電極の下方以外の絶縁膜との界面近傍よりも酸素濃度が高い第1酸化領域4Aを有するものとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体積層構造と、 前記窒化物半導体積層構造上に設けられた絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備え、 前記窒化物半導体積層構造は、前記ゲート電極の下方の前記絶縁膜との界面近傍に、前記ゲート電極の下方以外の前記絶縁膜との界面近傍よりも酸素濃度が高い第1酸化領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316 ,  H02M 3/28
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/316 S ,  H02M3/28 U
Fターム (62件)：
5F058BB01 ,  5F058BC03 ,  5F058BF63 ,  5F058BF73 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV09 ,  5F140AA29 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD15 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BF43 ,  5F140BG30 ,  5F140BG33 ,  5F140BH07 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK09 ,  5F140BK28 ,  5F140CE02 ,  5H730AA14 ,  5H730AS01 ,  5H730AS05 ,  5H730BB27 ,  5H730BB57 ,  5H730CC01 ,  5H730CC25 ,  5H730DD04 ,  5H730EE12
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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