特許
J-GLOBAL ID：202103003131108397

マグネタイト薄膜および磁気トンネル接合素子

発明者：
渡邉 雅人

渡邉 雅人 について


出願人/特許権者：
公益財団法人電磁材料研究所

公益財団法人電磁材料研究所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-158124
公開番号（公開出願番号）：特開2021-036570
出願日： 2019年08月30日
公開日（公表日）： 2021年03月04日
要約：
【課題】垂直磁気異方性の向上を図りうるマグネタイト薄膜およびこれを用いた磁気トンネル接合素子を提供する。【解決手段】本発明のマグネタイト薄膜は、SrTiO3(111)単結晶基板、MgO(111)単結晶基板、MgAl2O4(111)単結晶基板またはSi(111)単結晶基板など、表面が(111)配向を有する単結晶基板の上に形成されている。マグネタイト薄膜は、基体の表面に垂直な方向または厚さ方向に(111)配向を有し、組成式Fe3-δ1O4(0≦δ1≦0.01)で表わされる厚さ2〜500nmのエピタキシャル層として形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(111)単結晶基板の上に(111)配向を有するエピタキシャル層として形成され、厚さ2〜500nmであり、かつ、組成式Fe3-δ1O4(0≦δ1≦0.01)で表わされることを特徴とするマグネタイト薄膜。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82
FI (3件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z
Fターム (15件)：
5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB25 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB45 ,  5F092BE02 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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