特許
J-GLOBAL ID：202103004647475376

集積型高性能横方向ショットキーダイオード

発明者：
クディモフ アレクセイ

クディモフ アレクセイ について

, 
ラムダニ ジャマール

ラムダニ ジャマール について


出願人/特許権者：
パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド

パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド について


代理人 (2件)： 阿部 正博 ,  立原 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-150930
公開番号（公開出願番号）：特開2017-038047
特許番号：特許第6829556号
出願日： 2016年08月01日
公開日（公表日）： 2017年02月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の半導体材料層と第2の半導体材料層との間の接触面に画定されたヘテロ接合において形成される二次元電子気体と、 前記第2の半導体材料層上に配設された第1の絶縁材料層と第2の絶縁材料層とであって、 前記第1の絶縁材料層が、ゲート絶縁体である、 当該第1の絶縁材料層と当該第2の絶縁材料層と、 前記第2の絶縁材料層内に配設された第1の電極と第2の電極とであって、 当該第1の電極が、当該第2の電極から第1の横方向距離に配設されており、 当該第1の電極が、前記第1の絶縁材料層を通って前記第2の半導体材料層に接続されており、 当該第2の電極が、前記第1の絶縁材料層と前記第2の半導体材料層とを通って前記ヘテロ接合に接続されている、 当該第1の電極と当該第2の電極と、 前記第2の絶縁材料層上に配設された第3の絶縁材料層と第4の絶縁材料層と、 前記第4の絶縁材料層内に配設され、かつ、前記第3の絶縁材料層を通って前記第2の電極に接続された、第1のビアと、 前記第4の絶縁材料層内に配設された第1のフィールドプレートであって、 当該第1のフィールドプレートのエッジが、前記第4の絶縁材料層内で第1のビアに向かって横方向に延在しており、 前記第1のビアが、前記第1のフィールドプレートのエッジから第2の横方向距離ぶん前記第4の絶縁材料層において離間しており、 当該第1のフィールドプレートが、前記第3の絶縁材料層を通って前記第1の電極に接続されている、 当該第1のフィールドプレートと、 を備えるダイオード。
IPC (5件)：
H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/86 301 M ,  H01L 29/86 301 P ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/44 Y
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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