特許
J-GLOBAL ID：202103005160338400

ホウ素層付のシリコン基板上にフィールドエミッタアレイが備わるフォトカソード

発明者：
チュアン ユン-ホ

チュアン ユン-ホ について

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フィールデン ジョン

フィールデン ジョン について

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シャオリー インイン

シャオリー インイン について

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リウ シュエフェン

リウ シュエフェン について


出願人/特許権者：
ケーエルエー コーポレイション

ケーエルエー コーポレイション について


代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-560551
特許番号：特許第6827427号
出願日： 2016年05月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1面及びその裏面たる第2面を有すると共に上記第2面上に一体形成された複数個のフィールドエミッタとしての突起を有し、そのフィールドエミッタとしての突起それぞれが、シリコン基板に一体連結された固定部分を有すると共に当該第2面から先端部分まで延びるシリコン基板と、 上記フィールドエミッタとしての突起それぞれの少なくとも先端部分上に密閉配置された実質的に純粋なホウ素層と、 を備えるフォトカソードであり、上記シリコン基板は、シリコンの仕事関数よりも低い低仕事関数素材を含まず、上記先端部分を通って放出される電子は、上記実質的に純粋なホウ素層のみを通る、フォトカソード。
IPC (5件)：
H01J 1/34 ( 200 6.01) ,  H01J 40/06 ( 200 6.01) ,  H01J 31/50 ( 200 6.01) ,  G01N 21/956 ( 200 6.01) ,  G01J 1/02 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01J 1/34 ,  H01J 40/06 ,  H01J 31/50 ,  G01N 21/956 A ,  G01J 1/02 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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