特許
J-GLOBAL ID：202103006274793570
窒化珪素回路基板およびそれを用いた半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人東京国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-542960
特許番号：特許第6829204号
出願日： 2016年07月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】3点曲げ強度が500MPa以上であり、かつ、厚さが0.50mm以下である窒化珪素基板の両面に接合層を介して金属板を接合した窒化珪素回路基板において、
表面側の金属板の厚さをt1とし、裏面側の金属板の厚さをt2としたとき、厚さt1およびt2の少なくとも一方は0.6mm以上であり、関係式:0.10≦|t1-t2|≦0.30mmを満たし、
前記窒化珪素基板は長辺方向および短辺方向共に反り量が0.01〜1.0mmの範囲内であり、かつ、前記窒化珪素基板の長辺方向の反り量をSL1、短辺方向の反り量をSL2としたとき、それらの比(SL1/SL2)は0.5〜5.0である、
ことを特徴とする窒化珪素回路基板。
IPC (6件)：
H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 23/13 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 23/36 ( 200 6.01)
, H05K 1/02 ( 200 6.01)
H01L 25/04 C
, H01L 23/12 C
, H01L 23/12 J
, H01L 23/36 C
, H05K 1/02 F
, H05K 1/02 E
