特許
J-GLOBAL ID：202103007569936808

半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法

発明者：
伊藤 洋平

伊藤 洋平 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人あい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-253502
公開番号（公開出願番号）：特開2018-107321
特許番号：特許第6902865号
出願日： 2016年12月27日
公開日（公表日）： 2018年07月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1基板上に、発光層を含む半導体層および第1金属層をこの順に形成する工程と、 第2基板上に、第2金属層を形成する工程と、 前記第1金属層および前記第2金属層を互いに接合することによって、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる工程と、 前記貼り合わせ後、前記第1基板を除去する工程と、 前記第1基板の除去後、前記半導体層の表面に選択的に表面電極を形成する工程と、 前記表面電極の形成後、前記第2基板を裏面側から薄化する工程と、 前記薄化工程の後、前記半導体層の表面側に支持基板を貼り付ける工程と、 前記支持基板で前記半導体層を支持した状態で、前記第2基板の裏面に裏面電極を形成する工程と、 前記支持基板を取り外し、前記半導体層の表面をフロスト処理することによって、前記半導体層の前記表面に微細な凹凸構造を形成する工程とを含む、半導体発光装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 33/22 ( 201 0.01) ,  H01L 33/30 ( 201 0.01) ,  H01L 21/306 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 33/22 ,  H01L 33/30 ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/302 104 C ,  H01L 29/44 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM