特許
J-GLOBAL ID：201103010993759987

III族窒化物半導体発光素子

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について

, 
荒添 直棋

荒添 直棋 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-296504
公開番号（公開出願番号）：特開2011-086899
出願日： 2009年12月26日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：
【課題】III 族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させること。【解決手段】発光素子100は、支持体101と、支持体101上に低融点金属層102を介して接合されたp電極103と、p電極103上に順に積層されたIII 族窒化物半導体からなるp型層104、活性層105、n型層106と、n型層106上に形成されたn電極107と、によって構成されている。n電極107は、2つのパッド部107aと、配線状部107bとで構成されている。配線状部107bは、発光領域の外周を囲む正方形の配線状である外周部107b1と、その外周部107b1に接続し、直交に交差した2本の直線からなる十字型の配線状である分断部107b2とで構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性の支持体と、前記支持体上に位置するp電極と、前記p電極上に順に位置する、III 族窒化物半導体からなるp型層、活性層、n型層と、前記n型層上に位置するn電極と、を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、 前記p電極は、少なくとも前記p型層の前記支持体側表面の端部近傍には位置せず、 前記p型層の前記支持体側表面の端部近傍には、p型層に対するコンタクト抵抗が高い材料からなる高コンタクト抵抗層を有し、 前記n電極は、パッド部と、前記パッド部から延伸する配線状部とを有し、 前記配線状部は、前記高コンタクト抵抗層と素子面に垂直な方向において対向する領域に位置し、発光領域の外周を囲む閉曲線状の外周部を有するパターンである、 ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/22 ,  H01L 33/32
FI (2件)：
H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA19 ,  5F041DA33
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM