特許
J-GLOBAL ID：202103008684663099
金属薄膜の製造方法及び導電構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鎌田 耕一
, 古田 昌稔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-521704
特許番号：特許第6849221号
出願日： 2016年06月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 未硬化又は半硬化の熱硬化性絶縁樹脂で形成された下地層を有する基板を準備する工程と、
前記下地層に金属ナノ粒子インクを塗布する工程と、
前記熱硬化性絶縁樹脂の硬化温度以上の温度で前記金属ナノ粒子インクに含まれた金属ナノ粒子を焼結させる工程と、
をこの順で含み、
前記金属ナノ粒子インクを前記下地層に塗布する前において、前記下地層の表面の表面エネルギーが15mN/m以上であり、
前記金属ナノ粒子を焼結させる工程において、前記下地層と金属薄膜との間に厚さ10nm以上100nm以下の融着層が形成され、
前記融着層は、前記下地層を構成する前記熱硬化性絶縁樹脂と前記金属薄膜を構成する金属原子とを含む層である、金属薄膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H05K 3/12 610 C
, H05K 3/12 610 D
