特許
J-GLOBAL ID:202103010636797045
レーザ化学気相蒸着を用いた微細配線形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
新保 斉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-564537
公開番号(公開出願番号):特表2021-502473
出願日: 2018年09月18日
公開日(公表日): 2021年01月28日
要約:
【課題】 従来のレーザ化学気相蒸着(laser chemical vapor deposition、LCVD)を用いた微細配線形成方法における問題を解決・軽減させるためのもので、狭い幅の金属配線パターンを短時間で厚く成長させて、必要な導電性を確保することができる微細配線形成方法を提供すること。【解決手段】 レーザ化学気相蒸着(LCVD)により複数の金属元素を含むソースガスを供給しながら、基板に複数の金属元素を含む合金配線を形成するステップと、前記金属配線を含む領域にレーザ熱処理を行うステップと、を含んでなる微細配線形成方法が開示される。本発明の微細配線形成方法によれば、一次的に微細配線をLCVD方式で形成しながら合金蒸着により狭い幅で短時間に高い厚さの成長を良好な膜質で達成し、後続のレーザ熱処理により微細配線の内部膜質の欠陥を治癒して組織緻密度及び膜質を改善し、均質性と導電安定性を向上させることができ、照射幅と出力強度及び照射方式を調節して、部分溶融及び冷却される過程でパターンが凝集するにつれて微細配線の線幅を2μm以下まで小さくすることができる。【選択図】 図8
請求項(抜粋):
レーザ化学気相蒸着(LCVD)により複数の金属元素を含むソースガスを供給しながら基板に複数の金属元素を含む合金配線を形成するLCVD合金配線形成ステップと、
前記合金配線を含む領域にレーザ熱処理を行うレーザ熱処理ステップと、を含む
ことを特徴とする微細配線形成方法。
IPC (9件):
C23C 16/48
, C23C 16/06
, H05K 3/00
, H05K 3/08
, H01L 21/285
, H01L 21/28
, H01L 21/320
, H01L 21/768
, H01L 23/532
FI (9件):
C23C16/48
, C23C16/06
, H05K3/00 N
, H05K3/08 D
, H01L21/285 C
, H01L21/28 301R
, H01L21/28 B
, H01L21/88 B
, H01L21/88 M
Fターム (37件):
4K030AA11
, 4K030BA02
, 4K030BA12
, 4K030BA20
, 4K030CA04
, 4K030FA07
, 4K030LA15
, 4M104BB06
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104DD43
, 4M104DD48
, 4M104DD81
, 4M104DD99
, 5E339BC01
, 5E339BC02
, 5E339BC03
, 5E339BD11
, 5E339DD03
, 5E339EE10
, 5E339FF10
, 5E339GG02
, 5F033HH07
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH19
, 5F033HH20
, 5F033PP06
, 5F033PP31
, 5F033QQ51
, 5F033QQ53
, 5F033QQ83
, 5F033QQ88
, 5F033XX03
, 5F033XX17
引用特許:
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