LEDデバイス性能及び信頼性の向上のためのコンタクトエッチング及びメタライゼーション

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 大貫進介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-526211
特許番号：特許第6865751号
出願日： 2016年11月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】発光デバイス(200)であって: 第1半導体層(120)と第2半導体層(140)との間の活性層(130)を含む半導体構造体; 前記半導体構造体の中に延在し、前記第2半導体層(140)及び前記活性層(130)を通って前記第1半導体層(120)まで達する垂直ビア(280)であり、前記活性層(130)の発光表面(131)に垂直であり傾斜していない前記半導体構造体の内部の壁(285)を有する垂直ビア(280); 前記垂直ビア(280)まで前記第2半導体層(140)の上に延在する反射層(150); 垂直ビア(280)内部にある誘電構造体であり、第1表面(261)と第2表面(262)と第3表面(263)とを有し、前記第1表面は前記第2表面と第3表面との間にあり、前記第1表面(261)は前記活性層(130)の前記発光表面(131)と鋭角をなす傾斜表面であり前記垂直ビアの中心に面し、前記第2表面(262)は前記活性層(130)の前記発光表面(131)に垂直であり前記垂直ビアの前記壁に面し、前記第3表面(263)は前記活性層(130)の前記発光表面(131)に平行であり前記第1半導体層(120)に面する、誘電構造体;及び前記誘電構造体の上に位置され、前記第1半導体層(120)に接触する金属層(270); を有する発光デバイス。

IPC (5件)：

H01L 33/36 ( 201 0.01) , H01L 33/20 ( 201 0.01) , H01L 21/283 ( 200 6.01) , H01L 29/41 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 33/36 , H01L 33/20 , H01L 21/283 B , H01L 29/44 L , H01L 21/28 301 R , H01L 21/283 C

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-162719
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197094 出願人：株式会社リコー
光抽出構造体を有する半導体発光装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-539028 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ, フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー

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審査官引用 (5件)

特開平4-162719
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197094 出願人：株式会社リコー
光抽出構造体を有する半導体発光装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-539028 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ, フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー

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