特許
J-GLOBAL ID：201103084894032726
光抽出構造体を有する半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
津軽 進
, 笛田 秀仙
, 柴田 沙希子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-539028
公開番号（公開出願番号）：特表2011-508414
出願日： 2008年12月18日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：
構造は、視射入射角において発された光の抽出を増大させることができる半導体発光装置内に組み込まれている。幾つかの実施例において、当該装置は、全内面反射によって、前記金属コンタクトから外方に前記光を指向する低屈折率材料を含んでいる。幾つかの実施例において、当該装置は、視射角光を直接的に抽出することができる又は前記視射角光を当該装置から更に容易に抽出されるより小さい入射角に指向することができる半導体構造内のキャビティのような、抽出フィーチャを含んでいる。
請求項（抜粋）：
n型領域とp型領域との間に配されている発光層を有する半導体構造と、
前記半導体構造の底側に配されていると共に、前記p型領域に電気的に接続されている反射性金属コンタクトと、
前記反射性金属コンタクトの少なくとも一部と前記p型領域との間に配されている材料であって、前記材料の屈折率と前記p型領域の屈折率との間の差が少なくとも0.4である、材料と、
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 130
, H01L33/00 172
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CB15
