特許
J-GLOBAL ID：202103011541187181
III-V族半導体層の堆積方法及び堆積装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小島 高城郎
, 河合 典子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-011469
公開番号（公開出願番号）：特開2016-143888
特許番号：特許第6796380号
出願日： 2016年01月25日
公開日（公表日）： 2016年08月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 III-V族半導体層を堆積するための装置であって、プロセスチャンバ(1)と、1又は複数のコーティングされる基板を受容するべく該プロセスチャンバ(1)の床を構成するサセプタ(2)と、該サセプタ(2)をプロセス温度に加熱するためのヒーター(3)と、各々プロセスガスを該プロセスチャンバ(1)へ導入するべく少なくとも第1及び第2のプロセスガス入口領域(5、6、7)を具備する円筒形のガス入口部材(4)と、を有し、
天井板(25)を有するプロセスチャンバ天井が前記サセプタ(2)の上方に延在し、
前記プロセスチャンバ(1)の高さが前記サセプタ(2)と前記プロセスチャンバ天井との間の鉛直距離により規定され、
前記ガス入口部材(4)が前記プロセスチャンバ(1)の中心に配置されており、かつ、前記プロセスチャンバ(1)の高さに亘って延在し、
前記プロセスガス入口領域(5、6、7)が前記ガス入口部材(4)の円筒面に沿った異なる高さ位置にあり、
該第1のプロセスガス入口領域(5、7)がプロセスガスとしてV族典型元素の水素化物を供給する水素化物ソース(13)と接続されるとともに該第2のプロセスガス入口領域(6)がプロセスガスとしてIII族典型元素の有機金属化合物を供給する有機金属ソース(12)と接続されており、エッチングガス入口(9)がエッチングガスソース(11)と接続されており、かつ、該水素化物と該有機金属化合物と該エッチングガスとをそれぞれ搬送ガスとともにパイプラインシステム(21)を通して質量流量を制御して該プロセスチャンバ(1)に導入するために、制御装置(22)により切換可能なバルブ(16、19)と調整可能なマスフローコントローラ(17、18)とが設けられ、
前記水素化物及び前記有機金属化合物のフロー方向(23)が前記ガス入口部材(4)から前記サセプタ(2)上を横切ってガス出口(24)までの水平な径方向により規定される、前記装置において、
前記エッチングガス入口(9)が、前記ガス入口部材(4)の周囲にあるプロセスチャンバ天井の環状領域に設けられ、かつ、
前記エッチングガス入口(9)が、前記水素化物及び前記有機金属化合物のフロー方向(23)における前記プロセスガス入口領域(5、6、7)の下流側にて前記プロセスチャンバ(1)に開口し、半導体層の堆積中に前記プロセスガス入口領域(5、6、7)から送出されたプロセスガスが前記エッチングガス入口(9)に入り込めず、かつ、前記プロセスチャンバの洗浄中に前記エッチングガス入口(9)から送出されたエッチングガスが前記プロセスガス入口領域(5、6、7)に入り込めないように、前記制御装置(22)が制御しかつ前記プロセスガス入口領域(5、6、7)及び前記エッチングガス入口(9)が配置されていることを特徴とする、III-V族半導体層の堆積装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
, C23C 16/44 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C23C 16/34
, C23C 16/44 J
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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