特許
J-GLOBAL ID：202103011900643678
ウエハーの欠陥領域を評価する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山川 茂樹
, 山川 政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-507977
公開番号（公開出願番号）：特表2021-533575
出願日： 2018年12月27日
公開日（公表日）： 2021年12月02日
要約：
実施例は、サンプルウエハーを準備する段階と、700°C〜800°Cの温度で前記サンプルウエハーに1次酸化膜を形成する段階と、800°C〜1000°Cの温度で前記1次酸化膜上に2次酸化膜を形成する段階と、1000°C〜1100°Cの温度で前記2次酸化膜上に3次酸化膜を形成する段階と、1100°C〜1200°Cの温度で前記3次酸化膜上に4次酸化膜を形成する段階と、前記第1乃至4次酸化膜を除去する段階と、前記第1乃至4次酸化膜の除去された前記サンプルウエハーを食刻して前記サンプルウエハーの表面にヘイズを形成する段階と、前記ヘイズに基づいて前記サンプルウエハーの欠陥領域を評価する段階とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
サンプルウエハーを準備する段階と、
700°C〜800°Cの温度で前記サンプルウエハーに1次酸化膜を形成する段階と、
800°C〜1000°Cの温度で前記1次酸化膜上に2次酸化膜を形成する段階と、
1000°C〜1100°Cの温度で前記2次酸化膜上に3次酸化膜を形成する段階と、
1100°C〜1200°Cの温度で前記3次酸化膜上に4次酸化膜を形成する段階と、
前記第1乃至4次酸化膜を除去する段階と、
前記第1乃至4次酸化膜の除去された前記サンプルウエハーを食刻して前記サンプルウエハーの表面にヘイズを形成する段階と、
前記ヘイズに基づいて前記サンプルウエハーの欠陥領域を評価する段階と、を含む、ウエハー欠陥領域を評価する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 N
, C30B29/06 B
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077GA02
, 4G077GA06
, 4G077HA12
, 4M106AA01
, 4M106BA04
, 4M106CB03
, 4M106CB19
, 4M106CB20
, 4M106DH55
, 4M106DH56
