SiC半導体素子の製造方法及びSiC半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人前田特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-098244
公開番号（公開出願番号）：特開2021-192397
出願日： 2020年06月05日
公開日（公表日）： 2021年12月16日
要約：

【課題】SiO2膜とSiC基板との界面における欠陥密度を大幅に低減できるSiC半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】SiC半導体素子の製造方法は、SiC基板1の表面を、1200°C以上の温度で、H2ガスでエッチングするステップと、SiC基板上に、SiC基板を酸化させない条件で、SiO2膜3、4を形成するステップと、SiO2膜が形成されたSiC基板を、1350°C以上の温度で、N2ガス雰囲気中で熱処理するステップとを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiC基板の表面を、1200°C以上の温度で、H2ガスでエッチングするステップ(A)と、前記SiC基板上に、該SiC基板を酸化させない条件で、SiO2膜を形成するステップ(B)と、前記SiO2膜が形成された前記SiC基板を、1350°C以上の温度で、N2ガス雰囲気中で熱処理するステップ(C)とを含む、SiC半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L21/316 S , H01L29/78 301F

Fターム (21件)：

5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BE02 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F140AA08 , 5F140AA19 , 5F140AA29 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BD05 , 5F140BD17 , 5F140BD20 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BE17

引用特許：

審査官引用 (3件)

炭化ケイ素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-185715 出願人：国立研究開発法人産業技術総合研究所, 富士電機株式会社
絶縁ゲート型半導体装置及び絶縁ゲート型半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2018-152425 出願人：富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-250326 出願人：新日本無線株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

Deep levels generated by thermal oxidation in p-type 4H-SiC

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