炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-250326
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099495
出願日： 2012年11月14日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
要約：

【課題】簡便かつ安価な方法で、SiO2-SiC界面の界面準位密度が低いMOS型構造の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ECRスパッタ装置内で発生させたプラズマに炭化珪素半導体表面を晒す工程と、同一装置内で真空状態を保ったまま、ECRスパッタ法によりSiO2膜を堆積させる工程と、その後1000°C〜1200°C程度の加熱処理工程と、金属膜を積層する工程という、非常に簡便で、制御性の良い製造工程を組み合わせることによって、MOS型構造を形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に積層する炭化珪素半導体層表面を、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気中で、ECRスパッタ装置内で発生させたプラズマに晒す工程と、その後、真空状態を保ったまま、ECRスパッタ法により前記炭化珪素半導体層表面に二酸化珪素膜を堆積させる工程と、表面に二酸化珪素膜を堆積させた前記半導体基板を加熱処理する工程と、前記加熱処理された二酸化珪素膜表面に金属膜を積層し、MOS型構造の電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 21/324 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L21/324 Z , H01L21/324 P , H01L21/205

Fターム (3件)：

5F045AB06 , 5F045BB16 , 5F045CA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-217756 出願人：財団法人電力中央研究所
半導体素子製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-293026 出願人：古河電気工業株式会社
半導体デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-256756 出願人：国立大学法人東京大学

全件表示

前のページに戻る