特許

J-GLOBAL ID：202103014859426168

グラファイト基板上に成長させたナノワイヤ又はナノピラミッド

発明者： キム、ドン-チョル ,  ホーイアース、イダ マリー イー ,  ヘイムダル、カール フィリップ ジェイ. ,  フィムランド、ビョルン-オヴェ エム. ,  ヴェマン、ヘルゲ
出願人/特許権者： クラヨナノ エーエス ,  ノルウェージャン ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー(エヌティーエヌユー)
代理人 (1件)： 特許業務法人池内アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-521703
特許番号：特許第6959915号
出願日： 2016年07月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 任意に支持体上に担持された、グラファイト基板と、 任意の支持体の反対側で、前記基板の上に直接堆積した厚さ50nm以下のシード層と、 前記シード層の上に直接存在する酸化物又は窒化物マスキング層と、を含むデバイスであって、 前記シード層を通過し、前記マスキング層から前記グラファイト基板まで通過する複数の孔が存在し、且つ、 複数のナノワイヤ又はナノピラミッドが、前記孔内で前記基板から成長し、前記ナノワイヤ又はナノピラミッドは、少なくとも1つの半導体III-V族化合物を含む、デバイス。

IPC (4件)：

C30B 29/62 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 23/08 ( 200 6.01) ,  C30B 25/18 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C30B 29/62 Q ,  C30B 29/38 D ,  C30B 23/08 M ,  C30B 25/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-556149   出願人：クナノ・アーベー
• グラフェンとナノ構造体との複合構造体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-190673   出願人：三星電子株式会社
• ナノ構造体およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-518992   出願人：ビーティージー・インターナショナル・リミテッド
• 二酸化バナジウムナノワイヤとその製造方法、及び二酸化バナジウムナノワイヤを用いたナノワイヤデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-143007   出願人：ソニー株式会社