特許

J-GLOBAL ID：202103018260715639

半導体光素子、及びその製造方法

発明者： 北谷 健 ,  岡本 薫
出願人/特許権者： 日本ルメンタム株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-188007
公開番号（公開出願番号）：特開2018-054727
特許番号：特許第6807691号
出願日： 2016年09月27日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 InP基板と、 前記InP基板の上面に接して配置され、積層方向に沿って少なくとも一部はn型不純物が添加される、第1半導体層と、 前記第1半導体層の上面に接して配置される、光吸収層と、 前記光吸収層の上面に接して配置され、積層方向に沿って少なくとも一部はp型不純物が添加される、第2半導体層と、 を備え、 前記第1半導体層において、前記InP基板との界面である第1界面におけるn型不純物濃度は、前記光吸収層との界面である第2界面におけるn型不純物濃度より高く、 前記第1半導体層は、前記第1界面のn型不純物濃度より低く、前記第2界面のn型不純物濃度よりもn型不純物濃度が高い部分を含み、 前記第2界面におけるp型不純物濃度と比較して、前記第1半導体層は、より高いp型不純物濃度となる部分を含み、 前記光吸収層は意図的に不純物が添加されない、 ことを特徴とする、半導体光素子。

IPC (2件)：

G02F 1/017 ( 200 6.01) ,  H01L 31/10 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G02F 1/017 503 ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光変調素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-082823   出願人：三菱電機株式会社
• 電界吸収効果を有する光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-167685   出願人：株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
• 埋込導波路型受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-341820   出願人：三菱電機株式会社