特許
J-GLOBAL ID：200903007990860475

埋込導波路型受光素子

発明者：
中路 雅晴

中路 雅晴 について

, 
石村 栄太郎

石村 栄太郎 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-341820
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153547
出願日： 2006年12月19日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】Feドープ絶縁体層に埋め込まれた埋込導波路型受光素子のリーク電流を少なくする。【解決手段】Fe-InP基板24上に配設されたn-クラッド層28と、このn-クラッド層28の一部の上に配設され、n-光ガイド層30、n-クラッド層28と同じかまたはより高い屈折率を有するとともにn-光ガイド層30の不純物濃度より低い1×1017cm-3以下の不純物濃度を有するかあるいはアンドープのi-光ガイド層31、このi-光ガイド層31よりも屈折率が高い光吸収層32、p-光ガイド層34、およびp-クラッド層36がFe-InP基板24側から順次メサ状に積層された導波路16aと、Fe-InP基板24上に配設され導波路16aの側壁を埋設したブロック層と、を備えたものである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 この半導体基板上に配設されたn型クラッド層と、 このn型クラッド層の一部の上に配設され、n型光ガイド層、上記n型クラッド層と同じかまたはより高い屈折率を有するとともに上記n型光ガイド層の不純物濃度より低い1×1017cm-3以下の不純物濃度を有するかあるいはアンドープの第1半導体層、この第1半導体層よりも屈折率が高い光吸収層、p型光ガイド層、およびp型クラッド層が半導体基板側から順次メサ状に積層された導波路層と、 上記半導体基板上に配設され上記導波路層の側壁を埋設したFeドープ絶縁体層と、を備えた埋込導波路型受光素子。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (15件)：
5F049MA04 ,  5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049QA02 ,  5F049QA15 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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