特許
J-GLOBAL ID：201203032222343186
光変調素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-082823
公開番号（公開出願番号）：特開2012-220530
出願日： 2011年04月04日
公開日（公表日）： 2012年11月12日
要約：
【課題】量子井戸の位置による電界強度差を小さくすることができる光変調素子を提供する。【解決手段】光変調素子は、p-InPクラッド層22と、n-InPクラッド層23と、p-InPクラッド層22およびn-InPクラッド層の間に挟まれ、かつ交互に積層された複数のウェル層1および複数のバリア層2を有する多重量子井戸40とを備えている。複数のバリア層2は、n-InPクラッド層23に含まれる第2導電型のドーパントが導入された第2導電型バリア層2aを含んでいる。第2導電型バリア層2aは、多重量子井戸40においてp-InPクラッド層22に含まれる第1導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体クラッド層と、
第2導電型の第2の半導体クラッド層と、
前記第1および第2の半導体クラッド層の間に挟まれ、かつ交互に積層された複数のウェル層および複数のバリア層を有する多重量子井戸とを備え、
前記複数のバリア層は、前記第2のクラッド層に含まれる第2導電型のドーパントが導入された第2導電型バリア層を含み、
前記第2導電型バリア層は、前記多重量子井戸において前記第1の半導体クラッド層に含まれる第1導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている、光変調素子。
IPC (3件)：
G02F 1/017
, H01S 5/026
, H01S 5/125
G02F1/017 503
, H01S5/026 616
, H01S5/125
, G02F1/017 506
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079AA13
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079DA22
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079KA18
, 5F173AB03
, 5F173AD12
