トンネル型半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：土井健二 , 林恒徳 , 眞鍋潔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-235155
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093054
特許番号：特許第6788190号
出願日： 2016年12月02日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第1のn型半導体層と、前記第1のn型半導体層上に設けられ、前記第1のn型半導体層の伝導帯の下端のエネルギー準位よりも低い伝導帯の下端のエネルギー準位を有する第2のn型半導体層と、前記第2のn型半導体層上に設けられた第1のp型半導体層と、前記第1のp型半導体層上に設けられ、前記第1のp型半導体層の価電子帯の上端のエネルギー準位よりも低い価電子帯の上端のエネルギー準位を有する第2のp型半導体層とを有し、前記第1のp型半導体層の価電子帯上部と前記第2のn型半導体層の伝導帯下部とが0eV〜0.1eVの範囲で重なるトンネル型半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/329 ( 200 6.01) , H01L 29/88 ( 200 6.01) , H01L 29/205 ( 200 6.01) , H01L 29/66 ( 200 6.01) , H01L 21/20 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/88 Z , H01L 29/205 , H01L 29/66 T , H01L 21/20 , H01L 21/28 301 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-188320 出願人：富士通株式会社
半導体装置及び受信機
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-056232 出願人：富士通株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-198509 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (2件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-188320 出願人：富士通株式会社
半導体装置及び受信機
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-056232 出願人：富士通株式会社

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