特許
J-GLOBAL ID：202103020477936581

剥離方法および結晶性酸化物膜の製造方法

発明者：
鳥山 達矢

鳥山 達矢 について

, 
大島 孝仁

大島 孝仁 について


出願人/特許権者：
株式会社FLOSFIA

株式会社FLOSFIA について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-208400
公開番号（公開出願番号）：特開2021-080127
出願日： 2019年11月19日
公開日（公表日）： 2021年05月27日
要約：
【課題】半導体装置等に有用なコランダム構造を有する結晶性酸化物の自立膜を工業的有利に得ることができる結晶性酸化物膜の製造方法および剥離方法を提供する。【解決手段】結晶成長面を有しており、かつコランダム構造を有している結晶成長用基板であって、前記結晶成長面に沿った第1の方向と、前記結晶成長面に沿い、かつ前記第1の方向に垂直または略垂直な方向である第2の方向とで、それぞれ異なる線熱膨張係数を有しており、前記第1の方向の線熱膨張係数が前記第2の方向の線熱膨張係数より大きい結晶成長用基板上に、剥離犠牲層を介して前記結晶成長用基板の主成分とは異なる主成分を含む結晶性酸化物膜を結晶成長により成膜するとともに、前記剥離犠牲層を用いて前記第2の方向から前記結晶性酸化物膜と前記結晶成長用基板とを剥離する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
結晶成長面を有しており、かつコランダム構造を有している結晶成長用基板であって、前記結晶成長面に沿った第1の方向と、前記結晶成長面に沿い、かつ前記第1の方向に垂直または略垂直な方向である第2の方向とで、それぞれ異なる線熱膨張係数を有しており、前記第1の方向の線熱膨張係数が前記第2の方向の線熱膨張係数より大きい結晶成長用基板上に、剥離犠牲層を介して前記結晶成長用基板の主成分とは異なる主成分を含む結晶性酸化物膜を結晶成長により成膜するとともに、前記剥離犠牲層を用いて前記第2の方向から前記結晶性酸化物膜と前記結晶成長用基板とを剥離することを含む結晶性酸化物膜の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/16 ,  C30B 33/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/368
FI (5件)：
C30B29/16 ,  C30B33/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 Z
Fターム (46件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA01 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030DA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045DA53 ,  5F045DP04 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053HH05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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