(0001)YbAlN/(0001)Ti/(0001)Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>エピタキシャル薄膜共振子

LI Song; LI Song; 岩田直也; 岩田直也; 柳谷隆彦; 柳谷隆彦; 柳谷隆彦

文献

J-GLOBAL ID：202202255271493129 整理番号：22A0508982

(0001)YbAlN/(0001)Ti/(0001)Al₂O₃エピタキシャル薄膜共振子

(0001)YbAlN/(0001)Ti/(0001)Al₂O₃ epitaxial thin film

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 2022 ページ： 117-122 発行年： 2022年01月31日
JST資料番号： L5218A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

・スパッタエピタクシー法を用いて,(0001)Al₂O₃単結晶基板上に(0001)Tiエピタキシャル薄膜を成長し,その上に2濃度の(0001)YbAlNエピタキシャル薄膜を成長。
・Yb濃度は3%と,15%であり,それぞれのω-ロッキングカーブ半値幅は1.3°,3.0°で,また,単結晶H-SiC基板上に,(0001)ScAlN薄膜もエピタキシャル成長。
・Sc濃度は3%であり,極点図測定では,YbAlN薄膜及びScAlN薄膜においてエピタキシャル成長を示す6回対称の極を明確に観測。
・変換損失測定によって,Yb_0.03Al_0.97Nでは970MHzでk²_t=5.8%,Yb_0.15Al_0.85Nでは835MHz。
・k²_t=3.6%,ScAlNでは1GHzでk²_t=4.5%であり,基板の拘束力の影響でk²_t=が小の可能性有。

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共振器 , 圧電デバイス , 半導体薄膜

引用文献 (16件)：

M. Akiyama, T. Kamohara, K. Kano, A. Teshigahara, Y. Takeuchi and N. Kawahara, ”Enhancement of piezoelectric response in scandium aluminum nitride alloy thin films prepared by dual reactive cosputtering,” Adv. Mater., vol. 21, pp. 593-596, Feb. 2009.
T. Yanagitani, M. Suzuki, ”Electromechanical coupling and gigahertz elastic properties of ScAlN films near phase boundary,” Appl. Phys. Lett., vol. 105, no. 122907, Sep. 2014.
K.-H. Sano, R. Karasawa and T. Yanagitani, ”ScAlN thick film ultrasonic transducer in 40-80 MHz,” IEEE Trans. Ultrason., Ferroelectr., Freq. Control, vol. 65, no. 11, pp. 2097-2102, Nov. 2018.
T. Yokoyama, Y. Iwazaki, Y. Onda, T. Nishihara, Y. Sasajima, M. Ueda, ”Highly piezoelectric co-doped AlN thin films for wideband FBAR applications,” IEEE Trans. Ultrason., Ferroelectr., Freq. Control, vol. 62, no. 6, pp. 1007-1015, Jun. 2015
Y. Iwazaki, T. Yokoyama, T. Nishihara, and M. Ueda, ”Highly enhanced piezoelectric property of co-doped AlN.” Appl. Phys. Express, vol. 8, pp. 061501, May. 2015.

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(0001)YbAlN/(0001)Ti/(0001)Al2O3エピタキシャル薄膜共振子

(0001)YbAlN/(0001)Ti/(0001)Al₂O₃エピタキシャル薄膜共振子