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J-GLOBAL ID：202202262425532992   整理番号：22A0619413

ネガティブ金属系,ネガティブおよびポジティブトーン現像EUVレジストの間における確率モデリングと局所CD均一性の比較

Stochastic Modeling and Local CD Uniformity Comparison between Negative Metal-Based, Negative- and Positive-Tone Development EUV Resists

著者 (4件)： KAMOHARA Itaru ,  WELLING Ulrich (Synopsys GmbH) ,  KLOSTERMANN Ulrich (Synopsys GmbH) ,  DEMMERLE Wolfgang (Synopsys GmbH)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E105.C  号： 1  ページ： 35-46(J-STAGE)  発行年： 2022年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,3つの異なるEUVレジストシステムのプリンティング挙動に関するシミュレーション研究を提示した。ネガティブ金属系レジストと従来の化学増幅レジスト(CAR)の確率モデルを較正し検証した。ネガティブトーン現像(NTD)CARに関しては,最先端の測定が利用できないので,ポジティブトーン現像(PTD)CAR較正(材料)モデルとNTD現像モデルから始めた。PTD CARとNTD CARとの間の概念研究は,確率的インヒビター変動がPTDCARで異なること,すなわちインヒビターレベルが小さな変動(Mack現像)を提示することを示した。NTD CARに関しては,インヒビター変動はNTDの種類に依存しており,これはNTDとPTDの現像閾値の差をカテゴリー化することにより定義される。NTDの各種類は,異なるインヒビター濃度レベルを有している。さらに,ネガティブ金属系とNTD CARのコンタクトホールプリンティングを比較し,トーン反転マスクの確率的プロセスウィンドウ(PW)を明らかにした。後者の比較において,エアリアルイメージ(AI)と二次電子効果は同等であった。最後に,同じ20nmサイズ,40nmピッチのコンタクトホールに関する局所CD均一性(LCDU)を3つの異なるレジスト間で比較した。NTDに関するLCDUと確率的PWの線量依存挙動は,PTDCARと金属系レジストに関するものとは異なっていた。NTD CARでは,現像閾値周辺の小さなインヒビターレベルと大きなインヒビター変動が観察され,LCDU増加を引き起こすが,これは逆Mack現像レジストに特異的であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 確率モデル ,  キャリブレーション ,  金属酸化物 ,  極端紫外線 ,  化学増幅レジスト ,  *フォトレジスト ,  均一性 ,  *回路パターン形成
準シソーラス用語： EUV ,  *極端紫外レジスト ,  *最小加工寸法均一性

著者キーワード (8件)： 確率的モデルキャリブレーション ,  LCDU ,  金属酸化物レジスト ,  高分子 ,  マスクトーン ,  レジスト ,  EUV ,  NTD

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (31件)：

• [1] P. De Bisschop, “Stochastic printing failures in extreme ultraviolet Lithography,” J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, vol.17, no.4, 041011, Oct.-Dec. 2018. 10.1117/1.jmm.17.4.041011
• [2] D. De Simone, Y. Vesters, A. Shehzad, G. Vandenberghe, P. Foubert, C. Beral, D. Van Den Heuvel, M. Mao, and F. Lazzarino, “Exploring the readiness of EUV photo materials for patterning advanced technology nodes,” Proc. SPIE, 01430R, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VIII, 2017. 10.1117/12.2258220
• [3] P. De Bisschop, “Stochastic effects in EUV lithography: random, local CD variability, and printing failures,” J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, vol.16, no.4, 041013, Oct.-Dec. 2017. 10.1117/1.jmm.16.4.041013
• [4] L. Van Look, J. Bekaert, A. Frommhold, E. Hendrickx, G. Rispens, and G. Schiffelers, “OPTIMIZATION AND STABILITY OF CD VARIABILITY IN PITCH 40 NM CONTACT HOLES ON NXE:3300,” Proc. SPIE 10809, International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography, 2018. 10.1117/12.2501797
• [5] I. Kamohara, W. Gao, U. Klostermann, T. Schmöller, W. Demmerle, K. Lucas, D. De Simone, E. Hendrickx, and G. Van den Berghe, “Experimental validation of stochastic modeling for negative-tone develop EUV resists,” Proc. SPIE 9422, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VI, March 2015. 10.1117/12.2085506

タイトルに関連する用語 (4件)： 現像 ,  EUVレジスト ,  確率モデリング ,  CD均一性