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J-GLOBAL ID：202202265659653381   整理番号：22A0728429

標準Si(100)マイクロエレクトロニクス基板上のIII-V垂直ナノワイヤの大規模モノリシック作製【JST・京大機械翻訳】

Large-Scale Monolithic Fabrication of III-V Vertical Nanowires on a Standard Si(100) Microelectronic Substrate

著者 (5件)： Lecestre Aurelie (LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, CNRS, INP, France) ,  Martin Mickael (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, CEA-Leti/Minatec, Grenoble INP, LTM, France) ,  Cristiano Filadelfo (LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, CNRS, INP, France) ,  Baron Thierry (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, CEA-Leti/Minatec, Grenoble INP, LTM, France) ,  Larrieu Guilhem (LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, CNRS, INP, France)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 7  号： 7  ページ： 5836-5843  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直III-Vナノワイヤは,多数の応用に対して大きな関心事であるが,それらの統合は,大規模で標準的なSi(100)マイクロエレクトロニクスプラットフォーム上のこれらの一次元ナノ構造の製造の困難さに悩まされている。ここでは,Si上の薄いIII-Vエピタキシャル層の構造に基づくトップダウンアプローチを提案し,モノリシックGaAsまたはGaSbナノワイヤならびに軸ヘテロ構造を有するGaAs-Siナノワイヤを得た。2,3の相補的な金属-オキシド-半導体適合性の製作段階に基づいて,均一な直径(30nm),形態,位置決め,および配向と同様に,高い結晶品質を有するIII-Vナノワイヤを作製した。さらに,ナノスケールでのナノワイヤのパターニング制御を,重要なプロセスパラメータを細かく調整するために,構造および化学分析によって徹底的に特性化した。反応性イオンエッチング(RIE)中のナノワイヤの形態を適切に制御するために,プラズマ特性とナノワイヤ側壁上の保護層の形成の間のバランスを詳細に研究した。さらに,高分解能顕微鏡分析を行って,保護層の組成を良く理解し,ナノワイヤの結晶品質を観察した。この手法は,従来のSi/相補的金属-オキシド-半導体技術によるIII-V系ナノワイヤデバイスの可能なスケールアップ統合の道を開く。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  品質 ,  *ケイ素 ,  酸化物 ,  ヒ化ガリウム ,  スケールアップ ,  素子構造 ,  一次元 ,  アンチモン化ガリウム ,  規模 ,  プロセスパラメータ ,  高分解能 ,  RIE【エッチング】 ,  パターン形成 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  ヘテロ構造 ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 標準 ,  Si ,  マイクロエレクトロニクス基板 ,  垂直 ,  ナノワイヤ ,  大規模 ,  作製