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J-GLOBAL ID：202202269183997729   整理番号：22A0274656

純粋なAl薄膜接合によるSiCパワーモジュールのダイアタッチ技術の新しいアプローチ

Novel approach of die attach technology for SiC power module by pure Al thin film bonding

著者 (3件)： CHEN Chuantong (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGAHARA Tohru (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGANUMA Katsuaki (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 33rd  ページ： ROMBUNNO.2N15  発行年： 2020年08月17日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ダイボンディング ,  *接合 ,  *回路モジュール ,  *アルミニウム ,  *炭化ケイ素 ,  剪断強さ ,  耐熱性 ,  化合物半導体 ,  金属間化合物 ,  銅 ,  銀 ,  薄膜 ,  イオンエッチング ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  電子顕微鏡観察 ,  拡散接合 ,  熱伝導 ,  熱安定性
準シソーラス用語： *パワーモジュール ,  ヒロック ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  走査電子顕微鏡法

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  薄膜 ,  SiC ,  パワーモジュール ,  ダイアタッチ