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J-GLOBAL ID：202202272875687259   整理番号：22A0901301

シリコン基板上のエピタキシャル酸化膜の結晶配向【JST・京大機械翻訳】

Crystal orientation of epitaxial oxide film on silicon substrate

著者 (15件)： Kaneko Satoru (National Cheng Kung University, Tainan, 701, Taiwan) ,  Kaneko Satoru (Kanagawa Institute of Industrial Science and Technology (KISTEC), Shimo-Imaizumi, Ebina, Kanagawa 243-0435, Japan) ,  Kaneko Satoru (Tokyo Institute of Technology, Nagatsuta, Yokohama, Kanagawa 226-8502, Japan) ,  Tokumasu Takashi (Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan) ,  Yasui Manabu (Kanagawa Institute of Industrial Science and Technology (KISTEC), Shimo-Imaizumi, Ebina, Kanagawa 243-0435, Japan) ,  Kurouchi Masahito (Kanagawa Institute of Industrial Science and Technology (KISTEC), Shimo-Imaizumi, Ebina, Kanagawa 243-0435, Japan) ,  Yasuhara Shigeo (Japan Advanced Chemicals, Kamimizo, Kamimizo, Sagamihara 252-0131, Japan) ,  Endo Tamio (Japan Advanced Chemicals, Kamimizo, Kamimizo, Sagamihara 252-0131, Japan) ,  Azuma Masaki (Tokyo Institute of Technology, Nagatsuta, Yokohama, Kanagawa 226-8502, Japan) ,  Matsuda Akufumi (Tokyo Institute of Technology, Nagatsuta, Yokohama, Kanagawa 226-8502, Japan) ,  Yoshimoto Mamoru (Tokyo Institute of Technology, Nagatsuta, Yokohama, Kanagawa 226-8502, Japan) ,  Sahoo Sumanta Kumar (National Cheng Kung University, Tainan, 701, Taiwan) ,  Sardar Kripasindhu (National Cheng Kung University, Tainan, 701, Taiwan) ,  Ting Jyh-Ming (National Cheng Kung University, Tainan, 701, Taiwan) ,  Yoshimura Masahiro (National Cheng Kung University, Tainan, 701, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 586  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン上の酸化物膜の直接成長は,シリコン(Si)と酸化物材料との間の広範な拡散または化学反応のため,通常困難である。Schromらは二元酸化物の熱力学的安定性を包括的に調べた。しかし,熱力学的安定性は,シリコン表面に析出した酸化物の格子不整合や結晶学的配列のようなエピタキシャル成長の因子を含まない。酸化マグネシウム(MgO)を酸化物材料の例として採り,Si表面に配置したMgOで推定した吸収エネルギーは立方晶[MgO(001)//Si(001)とMgO(100)//Si(100)]上のエピタキシャル成長の結晶配向を予測した。これらの結果はSi表面に堆積したエピタキシャルMgO膜で観察された実験結果と一致した。吸着エネルギーの評価は,シリコン表面上の酸化物材料のエピタキシャル成長のための指針である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  化学反応 ,  *ケイ素 ,  酸化物 ,  *酸化膜 ,  *結晶方位 ,  酸化マグネシウム ,  結晶学 ,  立方晶系 ,  吸着エネルギー ,  熱力学的安定度 ,  格子不整合
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  吸収エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： シリコン表面 ,  酸化物 ,  インタフェイス ,  結晶成長 ,  設計 ,  DFT

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  エピタキシャル ,  酸化膜 ,  結晶配向