特許
J-GLOBAL ID：202203000774665305
電気二重層トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
山川 茂樹
, 小池 勇三
, 山川 政樹
, 本山 泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-115402
公開番号（公開出願番号）：特開2022-013089
出願日： 2020年07月03日
公開日（公表日）： 2022年01月18日
要約：
【課題】所望とする条件により設計通りの性能で動作させる電気二重層トランジスタを提供する。
【解決手段】電気二重層トランジスタは、薄膜101と、薄膜101の表面に互いに離間して形成されたソース電極102およびドレイン電極103と、ソース電極102とドレイン電極103との間の薄膜101に形成され、キャリアが導入されたキャリア導入層104と、イオン液体105と、ゲート電極106と、保護層107と、を備える。保護層107は、絶縁体から構成され、キャリア導入層104の上に形成されている。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ACuO
2
(A=Ba、Sr、Ca)、または、Aの一部を希土類元素で置換したA
1-x
R
x
CuO
2
(Rは希土類元素)を有する化合物から構成された薄膜と、
前記薄膜の表面に互いに離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記薄膜に形成され、キャリアが導入されたキャリア導入層と、
前記キャリア導入層の上に形成された絶縁体からなる保護層と、
前記保護層の表面に接する状態で配置されたイオン液体と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記薄膜とは離間して、前記イオン液体に接触するゲート電極と
を備える電気二重層トランジスタ。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/78 618B
, H01L29/78 617T
5F110DD01
, 5F110FF01
, 5F110FF27
, 5F110GG01
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110HK32
