特許

J-GLOBAL ID：202203001182483146

SiC結晶の成長方法

発明者： 吉川 健 ,  鳴海 大翔
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-176257
公開番号（公開出願番号）：特開2022-169811
出願日： 2019年09月26日
公開日（公表日）： 2022年11月10日
要約：

【課題】新規なSiC結晶の成長方法を提供する。 【解決手段】SiCおよびCの少なくとも一方を含む粒子22を、Siを含む溶媒24に混合してなる成長層材料20を生成する。そして成長層材料20をSiC基板10と接触させ、加熱する。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiCおよびCの少なくとも一方を含む粒子を、Siを含む溶媒に混合してなる成長層材料を生成するステップと、 前記成長層材料をSiC基板と接触させ、加熱するステップと、 を備えることを特徴とするSiC結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/04 ,  C30B 19/12

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/04 ,  C30B19/12

Fターム (10件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA27 ,  4G077QA71

引用特許：

出願人引用 (3件)

• SiC単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-153846   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 溶液法によるSiC単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-026254   出願人：トヨタ自動車株式会社, 住友金属工業株式会社
• SiC単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2017-224647   出願人：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人東京大学