特許
J-GLOBAL ID：200903082665651438

SiC単結晶の製造方法

発明者：
坂元 秀光

坂元 秀光 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  亀松 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-153846
公開番号（公開出願番号）：特開2008-303125
出願日： 2007年06月11日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、上記Si融液に、5〜30at%のTiと、1〜20at%のSnまたは1〜30at%のGeとを添加する。Ti添加によりCの溶解度が増加してSiC単結晶の成長速度が向上し、同時に、SnまたはGeのサーフアクタント効果により平坦性の高いSiC単結晶が得られる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、 上記Si融液に、5〜30at%のTiと、1〜20at%のSnまたは1〜30at%のGeとを添加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
Fターム (11件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA05 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26
引用特許：
出願人引用 (5件)
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