特許

J-GLOBAL ID：202203002205811690

熱電材料および熱電材料の製造方法

発明者： 齋藤 亘 ,  林 慶 ,  黄 志成 ,  宮▲崎▼ 讓
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (3件)： 棚井 澄雄 ,  飯田 雅人 ,  及川 周
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-023528
公開番号（公開出願番号）：特開2022-125757
出願日： 2021年02月17日
公開日（公表日）： 2022年08月29日
要約：

【課題】高い出力因子PFと低い熱伝導率を両立し、優れた無次元性能指数zTを有するMg-Sn系熱電材料を提供する。 【解決手段】本開示の熱電材料は、Mgと、Snと、キャリアをドープするドープ元素Xと、を含有し、単一の結晶からなる単結晶体であり、前記Mgの空孔欠陥の比率であるαが0%超、20.0%以下である。 【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Mgと、 Snと、 キャリアをドープするドープ元素Xと、 を含有し、 単一の結晶からなる単結晶体であり、 前記Mgの空孔欠陥の比率であるαが0%超、20.0%以下である、熱電材料。

IPC (2件)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/34

FI (2件)：

H01L35/14 ,  H01L35/34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 4元系マグネシウムスズ化合物及びそれを用いた熱電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-194720   出願人：国立大学法人山口大学
• Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-297657   出願人：FDK株式会社
• Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-211420   出願人：FDK株式会社
• 直接的熱電エネルギー変換のための素子を製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-527811   出願人：ニコラウミッシェルシー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Control of the Thermoelectric Properties of Mg2Sn Single Crystals via Point-Defect Engineering