特許
J-GLOBAL ID：202203002336922616
改良された材料付着法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
雨貝 正彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-215336
公開番号（公開出願番号）：特開2017-125837
特許番号：特許第7046482号
出願日： 2016年11月02日
公開日（公表日）： 2017年07月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 観察のために関心の領域を露出させる基板の荷電粒子ビーム処理の方法であって、 前記基板の表面に少なくとも2種類の前駆体ガスを供給することであって、前記基板の表面に第1および第2の前駆体ガスを供給することと、 前記少なくとも2種類の前駆体ガスから前記関心の領域の上方への保護層の付着を誘起するために、前記基板に向かって荷電粒子ビームを導くことであって、前記第1の前駆体ガスからの、第1のスパッタリング速度を有する第1の材料の付着を誘起するために、前記基板に向かって荷電粒子ビームを導くことと、前記第2の前駆体ガスからの、第2のスパッタリング速度を有する第2の材料の付着を誘起するために、前記基板に向かって前記荷電粒子ビームを導くことと、前記第1の材料の層および前記第2の材料の層を有する保護層を形成することとを含み、前記保護層が、異なるスパッタリング速度を有する少なくとも2種類の材料からなり、前記少なくとも2種類の材料が、前記少なくとも2種類の異なる前駆体ガスの分解によって付着したものであり、前記保護層のスパッタリング速度が前記基板のスパッタリング速度に基づいて調整されることであって、前記第1の材料のスパッタリング速度が前記基板のスパッタリング速度と一致し、前記第2の材料のスパッタリング速度が前記第1の材料のスパッタリング速度よりも低いことと、 前記保護層を貫通するようにミリングし、それによって前記保護層の下方の前記関心の領域を露出させるために、前記基板に向かって荷電粒子ビームを導くこと を含む方法。
IPC (5件)：
G01N 1/28 ( 200 6.01)
, G01N 1/32 ( 200 6.01)
, H01J 37/317 ( 200 6.01)
, H01J 37/305 ( 200 6.01)
, H01J 37/30 ( 200 6.01)
G01N 1/28 N
, G01N 1/28 G
, G01N 1/32 B
, H01J 37/317 D
, H01J 37/305 Z
, H01J 37/30 Z
