特許
J-GLOBAL ID：202203008889925395

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
田中 裕之

田中 裕之 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-022660
公開番号（公開出願番号）：特開2020-145480
特許番号：特許第7024818号
出願日： 2016年02月09日
公開日（公表日）： 2020年09月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 活性領域と、前記活性領域よりも外側に設けられ、前記活性領域を囲む耐圧構造部とを有する半導体基板を備え、 前記活性領域は、 前記半導体基板のおもて面側に形成され、且つ、溝部を有するLOCOS膜からなる素子絶縁膜と、 前記素子絶縁膜の前記溝部に設けられた温度検出用ダイオードと、 前記温度検出用ダイオードおよび前記素子絶縁膜のおもて面を覆うコンタクトホールを有する層間絶縁膜と を有し、 前記耐圧構造部は、 前記半導体基板のおもて面に形成された1以上のLOCOS膜からなるフィールド絶縁膜と、 前記フィールド絶縁膜のおもて面を覆う前記層間絶縁膜と を有し、 前記素子絶縁膜の前記溝部が設けられていない領域の膜厚は、前記フィールド絶縁膜の膜厚と同一である半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01)
FI (12件)：
H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 655 B ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/06 301 M ,  H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/06 301 V
引用特許：
審査官引用 (6件)
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